我們知道每種電容都有它的頻率特性，那么AVX 鉭電容的頻率特性是怎么樣的呢？AVX 鉭電容隨著頻率的增加有效電容的值會減小，直到共振達到（通常視0.5 - 5MHz 的之間該評級）。

　　除了共振頻率的設(shè)備變得感性。除了100kHz 的電容繼續(xù)下降。下面以AVX 貼片鉭電容E型的220UF 10V 規(guī)格為例，來說明鉭電容的頻率特性AVX 鉭電容溫度特性曲線。了解更多貼片鉭電容的信息請點擊此處：http://www.dzsc.com/product/searchfile/930.html

鉭電容的頻率特性

　　在介紹AVX 鉭電容的溫度特性曲線前，我們必需對以下兩個基本概念有所認識：

　　額定容量（CR）

　　這是額定電容。對于鉭OxiCap?電容器的電容測量是在25° C 時等效串聯(lián)電路使用測量電橋提供一個0.5V RMS120Hz 的正弦信號，諧波與2.2Vd.c.

　　電容公差

　　這是實際值的允許偏差電容額定值。

　　AVX 鉭電容的溫度特征。

　　鉭電容器的電容隨溫度變化而發(fā)生變化。這種變化本身就是一個小的程度上依賴額定電壓和電容的大小。從下面的溫度曲線圖上可以看出在工作溫度范圍內(nèi)，鉭電容和鈮電容的容量會隨著溫度的上升而上升。

AVX 鉭電容的溫度特征

　　損耗角正切（TAN）。

　　這是一個在電容器的能量損耗的測量。它表示，為棕褐色，是電容器的功率損耗其無功功率分為一組指定的正弦電壓頻率。也用的術(shù)語是功率因數(shù)，損耗因子和介電損耗。 COS（90 - ）是真正的功率因數(shù)。 “使用測量進行測量譚橋梁，提供一個0.5V RMS120Hz 的正弦信號。

　　耗散與溫度的關(guān)系

　　耗散系數(shù)隨溫度變化的典型曲線表演。這些地塊是鉭和OxiCap 相同電容器。

　　耗散因數(shù)測量的切線損耗角（TAN），以百分比表示。測量DF 是開展測量橋梁供應(yīng)一個0.5V RMS120Hz 的正弦信號，免費諧波與偏見2.2Vdc. DF 值是溫度和頻率依賴性。注意：對于表面貼裝產(chǎn)品所允許的最大DF 值表示的收視率表是很重要請注意，這些限額會見了由組件后基板上焊接。

　　耗散因數(shù)的頻率依賴性

　　隨著頻率的增加損耗因數(shù)所示鉭和OxiCap 廬電容器的典型曲線相同的AVX 鉭電容的阻抗（Z）。

這是電流電壓的比值，在指定的頻率。三個因素促成了鉭電容器的阻抗；半導(dǎo)體層的電阻電容價值和電極和引線電感。在高頻率導(dǎo)致的電感成為一個限制因素。溫度和頻率的行為確定這三個因素的阻抗行為阻抗Z.阻抗是在25° C 和100kHz.