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首頁電子器件常見問題 為什么獨(dú)石電容失效的影響會比其他陶瓷電容器大

為什么獨(dú)石電容失效的影響會比其他陶瓷電容器大

2020年07月20日15:40 

  為什么獨(dú)石電容失效的影響會比其他陶瓷電容器大

  介質(zhì)擊穿按發(fā)生時間的早晚又可分為早期擊穿與老化擊穿兩種,早期擊穿暴露了電容介質(zhì)材料與生產(chǎn)工藝方面存在的缺陷,這些缺陷導(dǎo)致陶瓷介質(zhì)介電強(qiáng)度顯著降低,以至于在高濕度環(huán)境的電場作用下,電容器在耐壓試驗過程中或工作初期,就產(chǎn)生電擊穿。熱擊穿現(xiàn)象多發(fā)生在管形或圓片形的小型瓷介質(zhì)電容器中,因為擊穿時局部發(fā)熱嚴(yán)重,較薄的管壁或較小的瓷體容易燒毀或斷裂。

  銀電極低頻陶瓷獨(dú)石電容器由于銀離子遷移而引起失效的現(xiàn)象,比其他類型的陶瓷介質(zhì)電容器嚴(yán)重得多,原因在于這種電容器的一次燒成工藝與多層疊片結(jié)構(gòu)。

電容

  多層疊片結(jié)構(gòu)的縫隙較多,電極位置不易精確,介質(zhì)表面的留邊量小,疊片層兩端涂覆外電極時銀漿滲入縫隙,降低了介質(zhì)表面的絕緣電阻,并使電極之間的路徑縮短,銀離子遷移時容易產(chǎn)生短路現(xiàn)象。

  半密封陶瓷電容器在高濕度環(huán)境條件下工作時,發(fā)生擊穿失效是比較普遍的嚴(yán)重問題。

  所發(fā)生的擊穿現(xiàn)象大約可以分為介質(zhì)擊穿和表面極間飛弧擊穿兩類。

  介質(zhì)擊穿按發(fā)生時間的早晚又可分為早期擊穿與老化擊穿兩種,早期擊穿暴露了電容介質(zhì)材料與生產(chǎn)工藝方面存在的缺陷,這些缺陷導(dǎo)致陶瓷介質(zhì)介電強(qiáng)度顯著降低,以至于在高濕度環(huán)境的電場作用下,電容器在耐壓試驗過程中或工作初期,就產(chǎn)生電擊穿。老化擊穿大多屬于電化學(xué)擊穿范疇。

  由于陶瓷電容器銀的遷移,陶瓷電容器的電解老化擊穿已成為相當(dāng)普遍的問題。

  銀遷移形成的導(dǎo)電樹枝狀物,使漏電流局部增大,可引起熱擊穿,使電容器斷裂或燒毀。

  熱擊穿現(xiàn)象多發(fā)生在管形或圓片形的小型瓷介質(zhì)電容器中,因為擊穿時局部發(fā)熱嚴(yán)重,較薄的管壁或較小的瓷體容易燒毀或斷裂。

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